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    • 产品名称: 氮化镓单晶基片
    • 产品分类: 氮化镓单晶基片
    • 公司名称: 山东科恒晶体材料科技有限公司
    • 添加时间: 18/01/30
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    性能:

    氮化镓作为第三代半导体,也被诺贝尔物理学获奖者中村修二称之为“终极衬底”,其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,使得它成为迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系,并可以成为制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件的关键基础材料。

    指标:

    2英寸直径蓝宝石衬底外延GaN厚膜

    厚度: 10~50μm(蓝宝石衬底外延GaN)

    位错密度:小于1×107 cm-2

    TTV:≦ 10 μm

    BOW:≦ 15 μm

    ?自支撑GaN单晶衬底

    厚度: 400.0μm ±30.0μm,300μm ±30.0  μm,

    位错密度:小于5×106 cm-2

    TTV:≦ 10 μm

    BOW:≦ 15 μm

    粗糙度:Ra≤0.2 nm


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    山东科恒晶体材料科技有限公司
    联系人:石经理
    手机(微信):13581027255
    电话:0533-5438008
    传真:0533-5438008
    邮箱:[email protected] /[email protected]
    地址:山东省淄博市淄川经济开发区管委会西500米

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